A non-quasi-static model for nanowire gate-all-around tunneling field-effect transistors

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标题	A non-quasi-static model for nanowire gate-all-around tunneling field-effect transistors 纳米线栅全方位隧穿场效应晶体管的非准静态模型相关领域纳米线电容晶体管量子隧道场效应晶体管电压材料科学领域（数学）光电子学纳米技术物理量子力学电极数学纯数学
网址	https://doi.org/10.1088/1674-1056/acbe32
DOI	10.1088/1674-1056/acbe32 doi
其它	期刊：Chinese Physics B 作者：Bin Lu; Xin Ma; Dawei Wang; Guoqiang Chai; Linpeng Dong; et al 出版日期：2023-02-23
求助人	华hgger 在 2024-11-24 12:55:28 发布自山西，悬赏 10 积分
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