Modeling of transconductance degradation and extraction of threshold voltage in thin oxide MOSFET's

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标题	Modeling of transconductance degradation and extraction of threshold voltage in thin oxide MOSFET's 薄氧化物MOSFET跨导退化建模及阈值电压提取相关领域跨导阈值电压材料科学阈下传导负偏压温度不稳定性光电子学 MOSFET 阈下斜率排水诱导屏障降低信道长度调制外推法电子迁移率电压电气工程晶体管工程类数学分析数学
网址	https://doi.org/10.1016/0038-1101(87)90132-8
DOI	10.1016/0038-1101(87)90132-8 doi
其它	期刊：Solid-State Electronics 作者：H.‐S. Philip Wong; Marvin H. White; T.J. Krutsick; R.V.H. Booth 出版日期：1987-09-01
求助人	yyds 在 2025-02-22 22:58:06 发布自湖北，悬赏 10 积分
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