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标题
Growth of large high-quality SiC single crystals
大尺寸优质SiC单晶的生长
相关领域
碳化硅 材料科学 叠加断层 堆积 结晶学 Crystal（编程语言） 垂直的 晶体生长 单晶 硅 位错 工程物理 光电子学 复合材料 化学 计算机科学 几何学 工程类 有机化学 程序设计语言 数学
网址
https://doi.org/10.1016/s0022-0248(01)02153-4
DOI
10.1016/s0022-0248(01)02153-4 doi
其它 期刊：Journal of Crystal Growth
作者：Noboru Ohtani; Tatsuo Fujimoto; Masakazu Katsuno; Takashi Aigo; Hirokatsu Yashiro
出版日期：2002-04-01
求助人
张琼敏 在 2024-12-27 10:10:31 发布自上海，悬赏 10 积分
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