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A Model for Multiparametric Analysis of the Parameters of Short-Channel HEMT-Type Transistors
短沟道HEMT型晶体管参数的多参数分析模型
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网址
https://doi.org/10.1134/s1063782622070065
DOI
10.1134/s1063782622070065 doi
其它 期刊：Semiconductors
作者：A. D. Nedoshivina; I. V. Makartsev; S. V. Obolensky
出版日期：2022-06-01
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ZZZ 在 2024-12-27 00:15:47 发布自广东，悬赏 10 积分
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