Modeling Irradiation-Induced Degradation for 4H-SiC Power MOSFETs

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标题	Modeling Irradiation-Induced Degradation for 4H-SiC Power MOSFETs 4 H-Si功率MOS辐射引发退化的建模相关领域符号数学算法离散数学算术
网址	https://doi.org/10.1109/ted.2023.3234039
DOI	10.1109/ted.2023.3234039 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Shiwei Liang; Yang Yu; Lei Shu; Ziyuan Wu; Bingru Chen; et al 出版日期：2023-01-09
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