Reliability Enhancement of β-Ga2O3 Junction Barrier Schottky Diodes by Passivation and Termination Techniques

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标题	Reliability Enhancement of β-Ga2O3 Junction Barrier Schottky Diodes by Passivation and Termination Techniques 用钝化和端接技术提高β-Ga2O3结势垒肖特基二极管的可靠性
网址	http://dx.doi.org/10.1109/LED.2024.3389999
DOI	10.1109/LED.2024.3389999 doi
其它	期刊名称：IEEE Electron Device Letters 发表年份：2024 作者：Z. Z. Hu, K. Nomoto, W. S. Li, et al.
求助人	专一的西牛在 2025-01-16 21:31:14 发布自广东，悬赏 20 积分
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