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 Interface Optimization and Performance Enhancement of Er2O3-Based MOS Devices by ALD-Derived Al2O3 Passivation Layers and Annealing Treatment ALD制备的Al2O3钝化层和退火处理优化Er2O3基MOS器件界面及提高器件性能
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钝化
材料科学
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电容器
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期刊：Nanomaterials 作者：Qiuju Wu; Qin Yu; Gang He; Wenhao Wang; Jinyu Lü; et al 出版日期：2023-05-26 |
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