Calculated threshold-voltage characteristics of an XMOS transistor having an additional bottom gate

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标题	Calculated threshold-voltage characteristics of an XMOS transistor having an additional bottom gate 具有附加底栅的XMOS晶体管的阈值电压特性计算相关领域晶体管排水诱导屏障降低频道（广播）泄漏（经济）电气工程光电子学材料科学短通道效应信道长度调制阈值电压电压 MOSFET 电子工程工程类经济宏观经济学
网址	https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/0038110184...
DOI	10.1016/0038-1101(84)90036-4 doi
其它	期刊：Solid-State Electronics 作者：T. Sekigawa; Y. Hayashi 出版日期：2002-10-18
求助人	张张在 2023-12-28 17:49:14 发布自陕西，悬赏 10 积分
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