Transition metal dichalcogenides thyristor realized by solid ionic conductor gate induced doping

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标题	Transition metal dichalcogenides thyristor realized by solid ionic conductor gate induced doping 固体离子导体栅诱导掺杂实现过渡金属二硫族晶闸管相关领域材料科学光电子学费米能级场效应晶体管栅极电介质双极扩散兴奋剂离子键合电介质凝聚态物理晶体管电气工程电压电子化学量子力学物理工程类离子有机化学
网址	https://doi.org/10.1063/5.0017432
DOI	10.1063/5.0017432 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Guangyao Wang; Wenjie Deng; Xiaoqing Chen; Peng Wang; Yu Xiao; et al 出版日期：2020-08-03
求助人	moonsea0415 在 2024-03-14 17:01:36 发布自中国香港，悬赏 10 积分
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