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 Leakage Current Characteristics of Nitride-Based InGaN Light-Emitting Diode 氮化物基InGaN发光二极管的漏电流特性
相关领域
二极管
兴奋剂
电场
光电子学
发光二极管
量子隧道
材料科学
物理
量子力学
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期刊：IEEE Photonics Technology Letters 作者：Kyu-Sang Kim; Jinha Kim; S N Cho 出版日期：2011-01-31 |
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