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 Engineering HZO by Flat Amorphous TiN with 0.3nm Roughness Achieving Uniform c-Axis Alignment, Record High Breakdown Field (~10nm HZO), and Record Final 2Pr of 56 μC/cm2 with Endurance > 4E12 通过粗糙度为0.3 nm的扁平非晶TiN设计HZO，实现均匀的c轴对准，记录高击穿场（~10nm HZO），并记录56 μ C/cm2的最终2Pr，耐久性>4E12
相关领域
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表面光洁度
表面粗糙度
无定形固体
材料科学
领域（数学）
光电子学
光学
物理
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冶金
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期刊：2022 IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits (VLSI Technology and Circuits) 作者：Zefu Zhao; Yu-Rui Chen; Yu-Tsung Liao; Yun-Wen Chen; Wan-Hsuan Hsieh; et al 出版日期：2024-06-16 |
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