Asymmetric Band Alignments and Remark Defect Tolerability at the Interface of High-k Dielectric Sb2O3 and 2D Semiconductor MoS2

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标题	Asymmetric Band Alignments and Remark Defect Tolerability at the Interface of High-k Dielectric Sb2O3 and 2D Semiconductor MoS2 高k电介质Sb2O3和二维半导体MoS2界面的不对称能带排列和缺陷容限相关领域单层电介质范德瓦尔斯力半导体悬空债券材料科学凝聚态物理光电子学化学物理纳米技术物理化学分子硅有机化学
网址	https://doi.org/10.1021/acs.jpcc.4c01323
DOI	10.1021/acs.jpcc.4c01323 doi
其它	期刊：Journal of Physical Chemistry C 作者：Qin Liu; Yang Zuo; Jingyu He; Minggang Zeng; Tong Yang; et al 出版日期：2024-06-13
求助人	眼睛大的尔竹在 2024-11-25 18:47:35 发布，悬赏 10 积分
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