标题 |
Study of effects of varying parameters on the dislocation density in 200 mm SiC bulk growth
200 mm SiC块体生长中位错密度变化参数的研究
相关领域
位错
材料科学
Crystal(编程语言)
晶体生长
压力(语言学)
有限元法
凝聚态物理
结晶学
热力学
复合材料
化学
物理
计算机科学
语言学
哲学
程序设计语言
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:Journal of Crystal Growth 作者:Sheng'ou Lu; Binjie Xu; Hongyu Chen; Wei Hang; Rong Wang; et al 出版日期:2023-12-07 |
求助人 | |
下载 | 求助已完成,仅限求助人下载。 |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|