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 Suppression of leakage current of p-GaN gate AlGaN/GaN HEMTs with beta-Ga2O3 back barrier 用β-Ga2O3背势垒抑制p-GaN栅极AlGaN/GaN HEMT的漏电流
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期刊：Journal of Physics D 作者：Mei Ge; Yang Li; Youhua Zhu; Dunjun Chen; Zhiliang Wang; et al 出版日期：2021-11-02 |
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