标题 |
Nearly Ideal Subthreshold Swing in Monolayer MoS₂ Top-Gate nFETs with Scaled EOT of 1 nm
EOT为1 nm的单层MoS₂顶栅nFETs中近乎理想的亚阈值摆动
相关领域
材料科学
缩放比例
电介质
栅极电介质
光电子学
金属浇口
单层
理想(伦理)
阈下摆动
晶体管
摇摆
电气工程
MOSFET
纳米技术
栅氧化层
物理
电压
工程类
数学
哲学
几何学
认识论
声学
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:2022 International Electron Devices Meeting (IEDM) 作者:Tsung-En Lee; Yuan-Chun Su; Bo-Jiun Lin; Yixuan Chen; Wei‐Sheng Yun; et al 出版日期:2022-12-03 |
求助人 | |
下载 | |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|