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Design of 7 nm FinFET with High-k Dielectric Oxide Materials (HK) and GaAs as Metal Gate (MG) Using Ashby’s Material Selection Approach
使用Ashby材料选择方法设计高k介电氧化物材料（HK）和GaAs作为金属栅极（MG）的7 nm FinFET
相关领域
材料科学 电介质 氧化物 光电子学 金属 选择（遗传算法） 高-κ电介质 金属浇口 栅极电介质 栅氧化层 电气工程 计算机科学 冶金 工程类 晶体管 电压 人工智能
网址
https://link.springer.com/content/pdf/10.1007/978-981-97-846...
DOI
10.1007/978-981-97-8464-6_24 doi
其它 期刊：Lecture Notes in Electrical Engineering
作者：Mohd Abdul Muqeet; T. Ranga Babu
出版日期：2025-01-11
求助人
11 在 2025-03-13 15:49:32 发布自北京，悬赏 10 积分
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