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 Epitaxial Growth of III–Nitride/Graphene Heterostructures for Electronic Devices 电子器件用III族氮化物/石墨烯异质结构的外延生长
相关领域
材料科学
半最大全宽
金属有机气相外延
异质结
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氮化物
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物理
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期刊：Applied Physics Express 作者：Neeraj Nepal; Virginia D. Wheeler; Travis J. Anderson; Francis J. Kub; Michael A. Mastro; et al 出版日期：2013-06-01 |
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