Bipolar Switching Properties of Neodymium Oxide RRAM Devices Using by a Low Temperature Improvement Method

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标题	Bipolar Switching Properties of Neodymium Oxide RRAM Devices Using by a Low Temperature Improvement Method 用低温改进方法研究氧化钕RRAM器件的双极开关特性相关领域电阻随机存取存储器材料科学 X射线光电子能谱薄膜热传导光电子学欧姆接触钕氧化物分析化学（期刊）复合材料纳米技术电压光学电气工程核磁共振化学图层（电子）冶金激光器工程类物理色谱法
网址	https://www.mdpi.com/1996-1944/10/12/1415/pdf?version=151332...
DOI	10.3390/ma10121415 doi
其它	期刊：Materials 作者：Kai-Huang Chen; Ming‐Cheng Kao; Shou-Jen Huang; Jian-Zhi Li 出版日期：2017-12-12
求助人	烧心C 在 2025-03-30 22:46:20 发布自内蒙古，悬赏 10 积分
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