710 GHz GaN gradient doped Schottky barrier diode with high breakdown voltage

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标题	710 GHz GaN gradient doped Schottky barrier diode with high breakdown voltage 具有高击穿电压的710 GHz GaN梯度掺杂肖特基势垒二极管
网址	https://doi.org/10.1063/5.0253346
DOI	10.1063/5.0253346 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Xiufeng Song; Shenglei Zhao; Kui Dang; Longyang Yu; Menghan Zheng; et al 出版日期：2025
求助人	tzk 在 2025-03-11 10:05:51 发布自江苏，悬赏 10 积分
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