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标题
Homoepitaxial growth of (100) Si-doped β-Ga2O3 films via MOCVD
（100）Si掺杂β-Ga2O3薄膜的MOCVD同向外延生长
相关领域
金属有机气相外延 材料科学 兴奋剂 欧姆接触 外延 化学气相沉积 电子迁移率 表面粗糙度 分析化学（期刊） 光电子学 纳米技术 化学 图层（电子） 复合材料 色谱法
网址
https://doi.org/10.1088/1674-4926/44/6/062801
DOI
10.1088/1674-4926/44/6/062801 doi
其它 期刊：Journal of Semiconductors
作者：Wenbo Tang; Xiao Han; Xiaodong Zhang; Botong Li; Yongjian Ma; et al
出版日期：2023-06-01
求助人
冷傲新柔 在 2025-03-22 17:44:12 发布自浙江，悬赏 10 积分
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