Cause of Etch Pits during the High Speed Plasma Etching of Silicon Carbide and an Approach to Reduce their Size

已完结

文献求助详情

标题	Cause of Etch Pits during the High Speed Plasma Etching of Silicon Carbide and an Approach to Reduce their Size 碳化硅高速等离子体刻蚀过程中刻蚀坑的成因及减小刻蚀坑尺寸的方法相关领域材料科学薄脆饼蚀刻（微加工）腐蚀坑密度等离子体刻蚀碳化硅等离子体机械加工复合材料各向同性腐蚀冶金光电子学图层（电子）量子力学物理
网址	https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.1004.161
DOI	10.4028/www.scientific.net/msf.1004.161 doi
其它	期刊：Materials Science Forum 作者：Yuma Nakanishi; Risa Mukai; Satoshi Matsuyama; Kazuto Yamauchi; Yasuhisa Sano 出版日期：2020-07-28
求助人	yan 在 2024-07-29 02:15:55 发布自北京，悬赏 30 积分
下载	该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。
	温馨提示：该文献已被科研通学术中心收录，前往查看科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。

上个求助

该求助已完结，感谢关注

如需该文献，请重新发布求助，前往发布

老实憨厚无套路，服务科研追梦人

请遵守相关知识产权规定，勿将文件分享给他人，仅可用于个人研究学习

我的文献求助列表浏览历史

一分钟了解求助规则 | 捐赠本站 | 历史今天

更新

2024年影响因子查询已上线 (2024-6-20)

更新

大幅提高文件上传限制，最高150M (2024-4-1)

科研通是完全免费的文献互助平台，具备全网最快的应助速度，最高的求助完成率。对每一个文献求助，科研通都将尽心尽力，给求助人一个满意的交代。

实时播报: 一蓑烟雨任平生上传了应助文件

1秒前; 席孤风完成签到，获得积分10

3秒前; 大饼完成签到，获得积分10

5秒前; iNk上传了应助文件

6秒前; Ava上传了应助文件

8秒前; CSUST科研一哥上传了应助文件

9秒前; 隐形曼青的应助被眸染瞳鸢采纳，获得10

10秒前; JamesPei的应助被细心的乐枫采纳，获得10

11秒前; 2024顺顺利利完成签到，获得积分10

11秒前; 晶晶发布了新的文献求助10

12秒前; 无敌反派大美人上传了应助文件

13秒前; 无花果上传了应助文件

13秒前; lyx发布了新的文献求助10

14秒前; FashionBoy上传了应助文件

15秒前; 冷山scol发布了新的文献求助10

16秒前; 懵懂的白凝发布了新的文献求助10

16秒前; 搜集达人上传了应助文件

17秒前; iNk上传了应助文件

18秒前; 和谐诗双发布了新的文献求助10

18秒前; 有魅力棉花糖完成签到，获得积分10

18秒前; lyx完成签到，获得积分10

19秒前; 江瀛完成签到，获得积分10

20秒前; Mira发布了新的文献求助10

21秒前; 欣欣发布了新的文献求助10

21秒前; xxxxx炒菜发布了新的文献求助10

22秒前; g3618完成签到，获得积分20

24秒前; 小蘑菇上传了应助文件

25秒前; 激情的含巧完成签到，获得积分10

25秒前; 研友_8o5V2n发布了新的文献求助30

27秒前; 所所的应助被水博士采纳，获得10

29秒前; 懵懂的白凝完成签到，获得积分10

29秒前; 丸太子发布了新的文献求助10

29秒前; 香蕉觅云上传了应助文件

30秒前; 子木发布了新的文献求助30

31秒前; HEIKU的应助被丸太子采纳，获得10

34秒前; HEIKU的应助被丸太子采纳，获得10

35秒前; 今后的应助被绵绵的探险家采纳，获得10

35秒前; 晶晶完成签到，获得积分20

36秒前; DDDD源发布了新的文献求助10

36秒前; 谨慎师发布了新的文献求助50

36秒前