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Effect of Hydrophobicity and Surface Potential of Silicon on SiO<sub>2</sub> Etching in Nanometer-Sized Narrow Spaces
硅的疏水性和表面电位对纳米级窄空间SiO2刻蚀的影响
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期刊:Diffusion and defect data, solid state data. Part B, Solid state phenomena/Solid state phenomena 作者:Dai Ueda; Yousuke Hanawa; Hiroaki Kitagawa; Naozumi Fujiwara; Masayuki Otsuji; et al 出版日期:2021-02-01 |
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