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Low Subthreshold Swing and High Mobility Amorphous Indium–Gallium–Zinc-Oxide Thin-Film Transistor With Thin HfO2 Gate Dielectric and Excellent Uniformity
低亚阈值摆幅高迁移率非晶态铟镓锌氧化物薄膜晶体管
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期刊:IEEE Electron Device Letters 作者:Subhranu Samanta; Umesh Chand; Shengqiang Xu; Kaizhen Han; Ying Wu; et al 出版日期:2020-06-01 |
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