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 Numerical investigation of the lateral and vertical leakage currents and breakdown regimes in GaN-on-Silicon vertical structures 硅上GaN垂直结构横向和纵向漏电流及击穿机制的数值研究
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期刊： 作者：Davide Cornigli; Susanna Reggiani; Elena Gnani; A. Gnudi; G. Baccarani; et al 出版日期：2015-12-01 |
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