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 Band edge states, intrinsic defects, and dopants in monolayer HfS2 and SnS2 单层HfS2和SnS2中的带边态、本征缺陷和掺杂剂
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Haichang Lu; Yuzheng Guo; John Robertson 出版日期：2018-02-05 |
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