| 标题 |
 Dynamic Breakdown Voltage of GaN Power HEMTs GaN功率HEMT的动态击穿电压
相关领域
瞬态（计算机编程）
材料科学
过电压
光电子学
晶体管
电压
脉冲功率
脉搏（音乐）
击穿电压
氮化镓
脉冲宽度调制
功率半导体器件
俘获
宽禁带半导体
功率（物理）
雪崩击穿
高电子迁移率晶体管
电场
电气工程
物理
计算机科学
纳米技术
工程类
生态学
图层（电子）
量子力学
生物
操作系统
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 作者：R. Zhang; Joseph P. Kozak; Qihao Song; Ming Xiao; J. Liu; et al 出版日期：2020-12-12 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成，仅限求助人下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
SYLH
yar
劲秉
杳鸢
kingwill
浦肯野
science
djsj
Azure
Eve丶Paopaoxuan
36456657
坚强的广山
Leon
VDC
请叫我风吹麦浪
pluto
iNk
嗯哼
张张
从容的无极
皖公网安备34019202002308
