标题 |
Tailoring breakdown strength and energy-storage performance of silicon-integrated lead-free epitaxial BZT thin films through multi-element B-site substitutions
通过多元B位取代调整硅集成无铅外延BZT薄膜的击穿强度和储能性能
相关领域
硅
材料科学
铅(地质)
外延
薄膜
光电子学
纳米技术
工程物理
工程类
地质学
图层(电子)
地貌学
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网址 | |
DOI |
10.1016/j.jallcom.2024.17743
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10.1016/j.jallcom.2024.177433
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