Stress, structural and electrical properties of Si-doped GaN film grown by MOCVD

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标题	Stress, structural and electrical properties of Si-doped GaN film grown by MOCVD MOCVD法生长掺硅GaN薄膜的应力、结构和电学性能相关领域金属有机气相外延材料科学兴奋剂光电子学压力（语言学）工程物理复合材料图层（电子）工程类外延语言学哲学
网址	https://doi.org/10.1088/1674-4926/30/12/123003
DOI	10.1088/1674-4926/30/12/123003 doi
其它	期刊：Journal of Semiconductors 作者：Zhihao Xu; Jincheng Zhang; Duan Huantao; Zhang Zhongfen; Zhu Qing-Wei; et al 出版日期：2009-12-01
求助人	xde的玩偶在 2024-09-27 14:27:17 发布自山东，悬赏 10 积分
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