Multi-gate BCAT Structure and Select Word-line Driver in DRAM for Reduction of GIDL

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标题	[高分] Multi-gate BCAT Structure and Select Word-line Driver in DRAM for Reduction of GIDL DRAM中减少GIDL的多门BCAT结构和选择字线驱动器相关领域德拉姆泄漏（经济）晶体管 PMOS逻辑等效门电路材料科学金属浇口电气工程逻辑门光电子学 CMOS芯片电压电子工程工程类栅氧化层宏观经济学经济
网址	https://doi.org/10.5573/jsts.2022.22.6.452
DOI	10.5573/jsts.2022.22.6.452 doi
其它	期刊：Journal of Semiconductor Technology and Science 作者：Chang-Young Lim; Min-Woo Kwon 出版日期：2022-12-31
求助人	雨侯在 2023-12-11 13:42:30 发布自广东，悬赏 150 积分
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