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Improved Stability of Pr-Doped Amorphous InGaZnO4 Thin-Film Transistors under Negative Bias Illumination Stress
Pr掺杂非晶InGaZnO4薄膜晶体管在负偏压照明应力下稳定性的提高
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网址
https://doi.org/10.1109/led.2025.3528063
DOI
10.1109/led.2025.3528063 doi
其它 期刊：IEEE Electron Device Letters
作者：Shan Hao; Dongli Zhang; Nannan Lv; Huaisheng Wang; Mingxiang Wang
出版日期：2025-01-01
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嘟嘟111 在 2025-04-02 19:28:25 发布，悬赏 10 积分
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