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![]() 基于结构函数法和静态脉冲I-V测量的射频HEMT硅基GaN-on-Si材料热阻优化
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材料科学
宽禁带半导体
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期刊:Applied Physics Letters 作者:Qingru Wang; Yu Zhou; Xiaozhuang Lu; Xiaoning Zhan; Quan Dai; et al 出版日期:2025-04-01 |
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