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 Precise Alignment in Ultra-Thin (< 1 µm) Interlayer Wafer-Level Active Device Transfer with SOI Temporary Bonding 采用SOI临时键合实现超薄（<1µm）层间晶圆级有源器件转移的精确对准
相关领域
绝缘体上的硅
薄脆饼
晶片键合
材料科学
光电子学
传输（计算）
硅
计算机科学
并行计算
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期刊：2024 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 作者：Bo-Jheng Shih; Shie-Ping Chang; Ting-Yu Chen; Zih-Yang Chen; Po-Jung Sung; et al 出版日期：2025-02-19 |
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