Removal mechanism of 4H- and 6H-SiC substrates (0001 and 0001¯) in mechanical planarization machining

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标题	Removal mechanism of 4H- and 6H-SiC substrates (0001 and 0001¯) in mechanical planarization machining 机械平面化加工中4H-SiC和6H-SiC基体（0001和0001）的去除机理相关领域化学机械平面化材料科学机械加工抛光纳米压痕表面粗糙度透射电子显微镜复合材料碳化硅扫描电子显微镜冶金纳米技术
网址	http://journals.sagepub.com/doi/pdf/10.1177/0954405417718595
DOI	10.1177/0954405417718595 doi
其它	期刊：Proceedings of the Institution of Mechanical Engineers, Part B: Journal of Engineering Manufacture 作者：Jing Lu; Qiufa Luo; Xipeng Xu; Hui Huang; Feng Jiang 出版日期：2017-08-07
求助人	爱听歌婴在 2024-05-06 17:02:43 发布自陕西，悬赏 10 积分
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