3659-V NO₂ p-Type Doped Diamond MOSFETs on Misoriented Heteroepitaxial Diamond Substrates

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标题	3659-V NO₂ p-Type Doped Diamond MOSFETs on Misoriented Heteroepitaxial Diamond Substrates 错取向异质外延金刚石衬底上的3659-V NO₂p型掺杂金刚石MOSFET 相关领域钻石 MOSFET 材料科学兴奋剂光电子学场效应晶体管晶体管凝聚态物理电气工程物理电压工程类复合材料
网址	https://doi.org/10.1109/led.2022.3226426
DOI	10.1109/led.2022.3226426 doi
其它	期刊：IEEE electron device letters 作者：Niloy Chandra Saha; Seong-Woo Kim; Koji Koyama; Toshiyuki Oishi; Makoto Kasu 出版日期：2023-01-01
求助人	wq 在 2024-06-18 08:53:25 发布自山东，悬赏 10 积分
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