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 CMOS Logic and Capacitorless DRAM by Stacked Oxide Semiconductor and Poly-Si Transistors for Monolithic 3-D Integration 用于单片三维集成的堆叠氧化物半导体和多晶硅晶体管的CMOS逻辑和无电容DRAM
相关领域
德拉姆
材料科学
CMOS芯片
光电子学
晶体管
半导体
NMOS逻辑
氧化物
电气工程
电子工程
工程类
电压
冶金
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| 其它 |
期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Ziheng Wang; Liankai Zheng; Zhiyu Lin; Jinxiu Zhao; Wei Tang; et al 出版日期：2024-01-01 |
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