标题 |
Nondegenerate P‐Type In‐Doped SnS2 Monolayer Transistor
非简并P型掺In SnS2单层晶体管
相关领域
单层
材料科学
兴奋剂
费米能级
密度泛函理论
晶体管
半导体
光电子学
工作职能
Atom(片上系统)
空位缺陷
纳米技术
凝聚态物理
电子
计算化学
图层(电子)
化学
电气工程
物理
嵌入式系统
工程类
电压
量子力学
计算机科学
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其它 |
期刊:Advanced electronic materials 作者:Zhaocheng Li; Weining Shu; Qiuqiu Li; Weiting Xu; Zhengwei Zhang; et al 出版日期:2021-03-15 |
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