标题 |
Voltage tunable sign inversion of magnetoresistance in van der Waals Fe3GeTe2/MoSe2/Fe3GeTe2 tunnel junctions
范德华Fe3GeTe2/MoSe2/Fe3GeTe2隧道结磁电阻的电压可调符号反转
相关领域
磁电阻
自旋电子学
凝聚态物理
铁磁性
范德瓦尔斯力
量子隧道
居里温度
隧道磁电阻
材料科学
自旋极化
磁场
物理
电子
量子力学
分子
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备注 |
求正式发表版本
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DOI | |
其它 |
期刊:Applied Physics Letters 作者:Shouguo Zhu; Hailong Lin; Wenkai Zhu; Weihao Li; Jing Zhang; et al 出版日期:2024-05-27 |
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