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 Electronic regulation of MoS2 edge sites by d electron transfer of Ni or Co to improve the activity of CO sulfur-resistant methanation Ni或Co的d电子转移对MoS2边缘位置的电子调节提高Co耐硫甲烷化活性
相关领域
甲烷化
催化作用
硫黄
过渡金属
空位缺陷
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化学
吸附
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材料科学
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| 其它 |
期刊：Chemical Engineering Journal 作者：Qiang Wang; Weiwei Huang; Xin Li; Shuangxi Lin; Zhenhua Li; et al 出版日期：2024-01-01 |
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