标题 |
A 0.039um2 high performance eDRAM cell based on 32nm High-K/Metal SOI technology
基于32nm High-K/金属SOI技术的0.039 um2高性能eDRAM单元
相关领域
绝缘体上的硅
材料科学
光电子学
硅
化学
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网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:International Electron Devices Meeting 作者:Nauman Zafar Butt; Kevin McStay; Alberto Cestero; Herbert L. Ho; W. Kong; et al 出版日期:2010-12-01 |
求助人 | |
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