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 A 2.38 MCells/mm2 9.81 -350 TOPS/W RRAM Compute-in-Memory Macro in 40nm CMOS with Hybrid Offset/IOFF Cancellation and ICELL RBLSL Drop Mitigation 2.38 MCells/mm2 9.81-350 TOPS/W RRAM内存计算宏，采用混合偏移/IOF消除和ICELL RBLSL跌落缓解功能，采用40nm CMOS
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计算机科学
非易失性存储器
电气工程
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期刊： 作者：Samuel Spetalnick; Muya Chang; S. Konno; Brian Crafton; Ashwin Sanjay Lele; et al 出版日期：2023-06-11 |
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