标题 |
Wafer scale epitaxial germanium on silicon (0 0 1) using pulsed laser annealing
利用脉冲激光退火在硅(0 0 1)上晶片级外延锗
相关领域
材料科学
外延
薄脆饼
锗
光电子学
通量
激光器
退火(玻璃)
结晶度
硅
无定形固体
微晶
光学
纳米技术
结晶学
复合材料
冶金
物理
化学
图层(电子)
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:Materials Letters 作者:Khushboo Kumari; Sandeep Vura; Srinivasan Raghavan; Sushobhan Avasthi 出版日期:2020-12-16 |
求助人 | |
下载 | 求助已完成,仅限求助人下载。 |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|