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 TSV Integration With Chip Level TSV-to-Pad Cu/SiO₂ Hybrid Bonding for DRAM Multiple Layer Stacking 用于DRAM多层堆叠的芯片级TSV至焊盘Cu/SiO_2混合键合的TSV集成
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Tzu-Heng Hung; James Yi-Jen Lo; Tzu-Ying Kuo; Shing-Yih Shih; Sheng-Fu Huang; et al 出版日期：2023-07-01 |
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