Effect of Strain in Channel on Electron Transport Properties of Ga1−xInxSb High Electron Mobility Transistor Structures with Strained‐Al0.40In0.60Sb/Al0.25In0.75Sb Stepped Buffer

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标题	Effect of Strain in Channel on Electron Transport Properties of Ga1−xInxSb High Electron Mobility Transistor Structures with Strained‐Al0.40In0.60Sb/Al0.25In0.75Sb Stepped Buffer 沟道应变对应变Al0.40In0.60 Sb/Al0.25In0.75 Sb阶梯缓冲器Ga1-xInxSb高电子迁移率晶体管结构电子输运性质的影响相关领域材料科学电子迁移率高电子迁移率晶体管晶格常数分析化学（期刊）薄板电阻电子密度电子晶体管结晶学凝聚态物理图层（电子）光电子学化学纳米技术衍射电气工程光学物理工程类量子力学电压色谱法
网址	https://doi.org/10.1002/pssa.202200529
DOI	10.1002/pssa.202200529 doi
其它	期刊：physica status solidi (a) 作者：Akira Endoh; Koharu Hatori; Naoyuki Kishimoto; Mizuho Hiraoka; Yuta Kemmochi; et al 出版日期：2022-12-16
求助人	风行在 2025-02-21 15:32:36 发布自天津，悬赏 10 积分
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