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标题
ffect of the Twist Crystallinity of N-Polar AlN Underlayer on the Electrical Properties of GaN/AlN Structures
N极性AlN底层扭曲结晶度对GaN/AlN结构电学性能的影响
相关领域
结晶度 材料科学 扭转 极地的 光电子学 复合材料 几何学 物理 数学 天文
网址
DOI
10.1002/pssa.202400053 doi
求助人
三三 在 2024-07-10 23:54:08 发布自吉林,悬赏 10 积分
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