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 Effects of in-situ thermal annealing on metamorphic InGaAs photodetector materials grown by molecular beam epitaxy 原位热退火对分子束外延生长的变质InGaAs光电探测器材料的影响
相关领域
材料科学
光致发光
退火（玻璃）
分子束外延
光电探测器
表面粗糙度
光电子学
暗电流
表面光洁度
外延
复合材料
图层（电子）
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期刊：Materials Science in Semiconductor Processing 作者：B.L. Liu; Gu Yuan; Weiguo Huang; Siqi Deng; Songyang Wang; et al 出版日期：2023-10-01 |
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