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 Effect of in situ plasma oxidation of TiN diffusion barrier for AlSiCu/TiN/Ti metallization structure of integrated circuits 原位等离子体氧化TiN扩散势垒对集成电路AlSiCu/TiN/Ti金属化结构的影响
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期刊：Journal of vacuum science & technology. B, Microelectronics and nanometer structures 作者：Vincent Fortin; S. C. Gujrathi; G. Gagnon; Raynald Gauvin; J. F. Currie; et al 出版日期：1999-03-01 |
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