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 Understanding 2D Semiconductor Edges by Combining Local and Nonlocal Effects: The Case of MoSi2N4 结合局域和非局域效应理解2D半导体边缘：MoSi2N4的情况
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期刊：Chemistry of Materials 作者：Yue-Jiao Zhang; Yumeng Gao; Yin‐Ti Ren; Chendong Jin; Zhang Hu; et al 出版日期：2024-01-23 |
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