| 标题 |
 Co-existence of bipolar nonvolatile and volatile resistive switching based on WO3 nanowire for applications in neuromorphic computing and selective memory 基于WO3纳米线的双极非易失性和易失性电阻开关共存在神经形态计算和选择性记忆中的应用
相关领域
神经形态工程学
记忆电阻器
非易失性存储器
突触
计算机科学
电压
电阻随机存取存储器
材料科学
人工智能
计算机硬件
电气工程
人工神经网络
神经科学
工程类
生物
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Applied Physics Letters 作者：Ling Qin; Siqi Cheng; Bingyang Xie; Xianhua Wei; Wenjing Jie 出版日期：2022-08-29 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
JY
寻道图强
穆紫
凤凰
美好乐松
Cloud
黑白
脑洞疼
结实的寄柔
可爱的函函
科目三
账户已注销
霉小欧
eternity136
陈军
一一
华仔
畅快的毛衣
斯文败类
Owen
皖公网安备34019202002308
