1700 V High-Performance GaN HEMTs on 6-inch Sapphire With 1.5 μm Thin Buffer

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标题	1700 V High-Performance GaN HEMTs on 6-inch Sapphire With 1.5 μm Thin Buffer 6英寸蓝宝石上1.5 μ m薄缓冲的1700 V高性能GaN HEMTs
网址	https://doi.org/10.1109/LED.2023.3335393
DOI	10.1109/LED.2023.3335393 doi
其它	期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Xiangdong Li; Junbo Wang; Jincheng Zhang; Zhanfei Han; Shuzhen You; et al 出版日期：2024
求助人	陶醉桐在 2024-01-25 17:05:10 发布自上海，悬赏 10 积分
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