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High efficient GaAlAs light‐emitting diodes of 660 nm with a double heterostructure on a GaAlAs substrate
GaAlAs衬底上具有双异质结构的660 nm高效GaAlAs发光二极管
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期刊:Applied Physics Letters 作者:Hisanori Ishiguro; Kôichiro Sawa; Shigeru Nagao; H. Yamanaka; Susumu Koike 出版日期:1983-12-01 |
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